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元件参数资料
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参数目录38676
> RSS110N03TB MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
型号:
RSS110N03TB
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Rohm Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
RSS110N03TB PDF
产品目录绘图
RRS, RSS Series 8-SOP, 8-SOIC
特色产品
ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装
2,500
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
10.7 毫欧 @ 11A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1300pF @ 10V
功率 - 最大
2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SOP
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1637 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
RSS110N03TB-ND
RSS110N03TBTR
查看RSS110N03TB代理商
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